磁阻效应实验仪DH4510
一、产品概述
本实验装置使用砷化镓（GaAs）霍尔传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（InSb）磁阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。
二、实验内容
1、了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法；
2、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系；
3、学习用磁阻传感器测量磁场的方法；
4、观察磁阻元件的倍频效应。
三、技术参数
1、IM：励磁电流，直流0～750mA连续可调，3位半数显；
2、Is：传感器工作电流，直流0～2.5mA连续可调，3位半数显；
3、特斯拉计：0～1000.0mT，四位半数显，分辨率0.1mT，准确度1%；
4、磁阻电压0～2000.0mV，最小分辨率0.1mV，四位半数显，准确度0.1%等。
复制产品链接
长按图片保存/分享
询盘
询盘
关于我们
